IGBT CM150DY-12E

тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT CM150DY-12E
Описание IGBT CM150DY-12E
Тип: IGBT-модуль (двухключевой, NPT-технология)
Производитель: Mitsubishi Electric (или аналогичные бренды, например Fuji, Infineon)
Назначение: Управление мощными нагрузками в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании, электроприводах и системах питания.
Технические характеристики
| Параметр | Значение |
|----------------------------|----------------------------------|
| Макс. коллектор-эмиттер напряжение (VCES) | 600 В |
| Номинальный ток коллектора (IC) | 150 А |
| Импульсный ток (ICP) | 300 А |
| Мощность рассеивания (Ptot) | 600 Вт |
| Напряжение насыщения (VCE(sat)) | 1.8 В (при 75 А) |
| Время включения (ton) | 0.5 мкс |
| Время выключения (toff) | 1.2 мкс |
| Температура перехода (Tj) | -40°C до +150°C |
| Корпус | 2 в 1 (Dual IGBT с диодом) |
| Сопротивление изоляции | 2500 VRMS (мин.) |
Аналоги и совместимые модели
Парт-номера Mitsubishi:
- CM150DY-12H (альтернативная версия)
- CM150DY-12S
- CM150DY-24E (на 1200 В)
Аналоги других производителей:
- Fuji Electric: 2MBI150N-060
- Infineon: FF150R06KE3
- Semikron: SKM150GB066D
- Hitachi: CM150DY-12E (OEM-версия)
Примечания по замене
- Напряжение и ток: Аналоги должны совпадать по VCES и IC.
- Корпус: Учитывайте расположение выводов (например, 6-контактные модули в TO-247).
- Диод обратного восстановления: Встроенный антипараллельный диод обязателен для инверторных схем.
Если нужны уточнения по конкретному применению, укажите условия работы (частота, нагрузка, охлаждение).