IGBT CM150E3U12H

Описание IGBT CM150E3U12H

IGBT CM150E3U12H – это высоковольтный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для применения в мощных преобразователях энергии, инверторах, промышленных приводах и системах управления электродвигателями. Модуль сочетает в себе высокую эффективность, низкие потери при переключении и хорошую тепловую стабильность.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------|---------| | Тип модуля | IGBT + диод (2 в 1) | | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Номинальный ток (I_C) | 150 А (при 25°C) | | Макс. ток коллектора (I_CM) | 300 А | | Мощность (P_tot) | 750 Вт | | Падение напряжения (V_CE(sat)) | 2,3 В (тип.) | | Время включения (t_on) | 60 нс | | Время выключения (t_off) | 220 нс | | Диод обратного восстановления (t_rr) | 120 нс | | Температура эксплуатации | -40°C … +150°C | | Корпус | 6-контактный, модульный (изолированный) | | Вес | ~150 г |

Парт-номера и совместимые аналоги

Оригинальные парт-номера:

• CM150E3U12H (оригинал от Mitsubishi)
• CM150E3U-12H (альтернативное написание)

Совместимые аналоги:

1. Fuji Electric:
   • 2MBI150U4A-120
2. Infineon:
   • FF300R12KE3 (300A, 1200V, требует проверки по параметрам)
3. Semikron:
   • SKM150GB12T4
4. Hitachi:
   • MBN150E12H

Применение

• Промышленные инверторы
• Частотные преобразователи
• Сварочные аппараты
• Тяговые системы (электромобили, ж/д транспорт)

Если вам нужна замена, рекомендуется уточнять электрические параметры и расположение выводов, так как аналоги могут отличаться по терморежимам и характеристикам переключения.