IGBT CM150E3Y-24E

Описание IGBT модуля CM150E3Y-24E

Модель: CM150E3Y-24E
Производитель: Mitsubishi Electric (теперь часть Renesas Electronics)
Тип: IGBT-модуль с диодом обратного хода (NPT IGBT + FRD)
Назначение: Применяется в мощных преобразовательных устройствах, таких как:

• Инверторы
• Промышленные приводы
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Электропоезда и тяговые системы

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|-----------------------------|-----------------------------------|
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Номинальный ток (I_C) при 80°C | 150 А |
| Пиковый ток (I_CP) | 300 А |
| Мощность рассеивания (P_tot) | 750 Вт |
| Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)) | 2,5 В (тип.) |
| Время включения (t_on) | 0,5 мкс |
| Время выключения (t_off) | 1,0 мкс |
| Температурный диапазон (T_j) | -40°C до +150°C |
| Корпус | 6-контактный модуль (изолированный) |
| Вес | ~200 г |

Встроенный диод: Fast Recovery Diode (FRD) с V_RRM = 1200 В

Альтернативные парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги от Mitsubishi/Renesas:

• CM150E3U-24E (аналогичный модуль, возможны небольшие отличия в корпусе)
• CM150E3Y-24F (обновленная версия)
• CM150DY-24E (похожие характеристики)

Аналоги от других производителей:

• Infineon: FF150R12KE3
• Fuji Electric: 2MBI150U2A-120
• Semikron: SKM150GB12T4

Примечания по замене

1. Перед заменой проверьте:
   • Распиновку и монтажные отверстия
   • Напряжение и токовую нагрузку
   • Рабочую температуру
2. Устаревшая модель – возможны трудности с закупкой, рекомендуется переход на более новые версии (например, CM150E3Y-24F).

Если нужны доп. параметры (графики, схемы подключения), уточните!