IGBT CM150TF12H

Описание IGBT модуля CM150TF12H

CM150TF12H – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) от Mitsubishi Electric, предназначенный для высоковольтных и сильноточных применений, таких как:

• Преобразователи частоты (инверторы)
• Системы управления электродвигателями
• Промышленные источники питания
• Тяговые приводы
• Установки возобновляемой энергии

Модуль выполнен в корпусе 1-in-1 (одиночный транзистор с антипараллельным диодом) и рассчитан на высокие токи и напряжения, обеспечивая эффективное переключение и низкие потери.

Технические характеристики CM150TF12H

| Параметр | Значение | |----------------------------|--------------| | Тип модуля | IGBT (NPT, Trench Gate) с антипараллельным диодом | | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Номинальный ток (I_C) | 150 А (при 80°C) | | Импульсный ток (I_CP) | 300 А | | Ток диода (I_F) | 150 А | | Мощность рассеивания (P_tot) | 750 Вт | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2,3 В (тип.) | | Время включения (t_on) | 90 нс | | Время выключения (t_off) | 370 нс | | Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0,17 °C/Вт | | Диапазон рабочих температур | -40°C … +150°C | | Корпус | 6-выводной, модуль с изолированным основанием |

Парт-номера и аналоги

Оригинальные парт-номера Mitsubishi:

• CM150TF-12H (полное обозначение)
• CM150TF12H (вариант написания)

Совместимые/аналогичные модели от других производителей:

• Infineon: FF150R12RT4
• Fuji Electric: 2MBI150U2A-120
• SEMIKRON: SKM150GB12T4
• Hitachi: CM150TF-12H (тот же модуль, но в некоторых каталогах Hitachi)

Примечания по замене

При выборе аналога важно учитывать:

• Напряжение и токовые характеристики
• Тип корпуса и монтажные отверстия
• Параметры встроенного диода
• Тепловое сопротивление

Модуль CM150TF12H часто используется в ремонте промышленных инверторов и приводов, поэтому при замене рекомендуется проверять спецификации производителя оборудования.

Если нужны дополнительные данные (например, графики вольт-амперных характеристик), уточните!