IGBT cm15md-12h

Описание IGBT модуля CM15MD-12H

CM15MD-12H – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) с напряжением 1200 В и током коллектора 15 А, предназначенный для использования в импульсных источниках питания, инверторах, частотных преобразователях и других силовых электронных устройствах. Модуль выполнен в стандартном корпусе и содержит два IGBT-транзистора с антипараллельными диодами в полумостовой (Half-Bridge) конфигурации.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------------------------|----------------------------------| | Тип модуля | IGBT полумост (Half-Bridge) | | Макс. напряжение (V_CES) | 1200 В | | Номинальный ток (I_C) | 15 А (при 25°C) | | Макс. импульсный ток (I_CP) | 30 А (кратковременно) | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | ~1.85 В (при 15 А) | | Диод обратного восстановления (V_RRM) | 1200 В | | Время включения (t_on) | ~50 нс | | Время выключения (t_off) | ~350 нс | | Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | ~0.75 °C/Вт | | Рабочая температура | -40°C ... +150°C | | Корпус | Пластиковый, изолированный | | Монтаж | Винтовое соединение (контакты) | | Вес | ~30 г |

Эквиваленты и совместимые модели

Парт-номера (аналоги и замены)

• Mitsubishi: CM15MD-12H (оригинал)
• Fuji Electric: 6MBP15RH120
• Infineon: FF15R12KT4
• SEMIKRON: SKM15GB12T4
• Powerex (Mitsubishi): CM15MD-12H (тот же производитель)

Совместимые модели (по параметрам)

• STMicroelectronics: STGW15NC120HD
• ON Semiconductor: FGA15N120ANTD
• IXYS: IXGH15N120B3

Применение

Модуль CM15MD-12H применяется в:

• Инверторах для электродвигателей
• Источниках бесперебойного питания (ИБП)
• Промышленных частотных преобразователях
• Солнечных инверторах
• Сварочном оборудовании

Примечание

При замене на аналог важно учитывать:

• Распиновку и конструкцию корпуса
• Тепловые параметры (R_th(j-c))
• Наличие встроенного диода

Если требуется более мощный модуль, можно рассмотреть CM30MD-12H (30 А, 1200 В).

Нужна дополнительная информация? Готов помочь!