IGBT CM200DY12E

Описание IGBT CM200DY12E

IGBT CM200DY-12E – это мощный транзисторный модуль с обратным диодом, предназначенный для высоковольтных и высокотоковых применений, таких как инверторы, преобразователи частоты, сварочное оборудование и промышленные приводы. Модуль объединяет два IGBT с антипараллельными диодами в полумостовой (Half-Bridge) конфигурации.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип модуля | Half-Bridge (2 в 1) |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Номинальный ток (I_C) | 200 А (при 25°C) |
| Импульсный ток (I_CP) | 400 А |
| Рассеиваемая мощность (P_tot) | 700 Вт |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2,5 В (тип.) |
| Время включения (t_on) | 0,6 мкс |
| Время выключения (t_off) | 1,5 мкс |
| Диод обратного восстановления (t_rr) | 0,3 мкс |
| Термическое сопротивление (R_th(j-c)) | 0,12 °C/Вт |
| Корпус | Модуль (изолированный) |
| Рабочая температура | -40°C … +150°C |

Парт-номера и аналоги

Оригинальные парт-номера:

• CM200DY-12E (основная маркировка)
• CM200DY12E (альтернативное написание)

Совместимые / аналогичные модели:

1. Fuji Electric:
   • 2MBI200U2A-120 (аналог, 1200V, 200A)
2. Infineon:
   • FF200R12KE3 (аналог, 1200V, 200A)
3. Mitsubishi:
   • CM200DY-24H (аналог с более высоким напряжением)
4. SEMIKRON:
   • SKM200GB12T4 (аналог, 1200V, 200A)

Примечания

• Модуль требует качественного охлаждения из-за высокой мощности.
• Рекомендуется проверять datasheet перед заменой на аналог.

Если нужна дополнительная информация по распиновке или заменам – уточните!