IGBT CM200DY12HE

Описание IGBT CM200DY12HE

CM200DY12HE – это высоковольтный IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) с интегрированным диодом, предназначенный для силовой электроники. Модуль используется в инверторах, преобразователях частоты, сварочном оборудовании, системах управления электродвигателями и других приложениях, требующих эффективного управления высокими токами и напряжениями.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип модуля | IGBT + диод (DUAL) |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Номинальный ток коллектора (I_C при 25°C) | 200 А |
| Макс. импульсный ток (I_CM) | 400 А |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2,1 В (тип.) |
| Макс. рассеиваемая мощность (P_tot) | 750 Вт |
| Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C |
| Тип корпуса | модуль (изолированный) |
| Сопротивление изоляции | 2500 В (мин.) |
| Встроенный диод | Да (FRD) |

Аналоги и совместимые модели

Парт-номера (альтернативные обозначения)

• CM200DY-12HE (полное обозначение)
• CM200DY-12H (аналогичный модуль с близкими параметрами)

Совместимые / аналогичные модели (от других производителей)

• Infineon: FF200R12KE3, FZ200R12KE3
• Mitsubishi: CM200DY-24A (для 1200В, 200А)
• Fuji Electric: 2MBI200U2A-120
• Semikron: SKM200GB12T4

Примечание

При замене модуля необходимо учитывать:

• Рабочее напряжение и ток,
• Тип корпуса и схему подключения,
• Наличие встроенного диода,
• Тепловые характеристики.

Если требуется точная замена, рекомендуется сверяться с даташитом производителя (Hitachi или Mitsubishi, так как модуль может выпускаться под разными брендами).