IGBT cm200dy-12hs40fs1

Описание IGBT CM200DY-12HS40FS1

Модуль CM200DY-12HS40FS1 — это двухканальный IGBT-транзистор с обратным диодом (Dual IGBT with Diode), разработанный для мощных преобразователей и инверторов. Используется в промышленных приложениях, таких как:

• Частотные приводы
• Сварочное оборудование
• Системы управления электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Индукционные нагреватели

Ключевые особенности:

• Высокое напряжение коллектор-эмиттер (V_CES = 1200 В)
• Большой ток коллектора (I_C = 200 А)
• Низкое падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat))
• Встроенный антипараллельный диод
• Высокая стойкость к перегрузкам
• Корпус с изолированным основанием для удобного монтажа на радиатор

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Ток коллектора (I_C) при 25°C | 200 А |
| Ток коллектора (I_C) при 80°C | 120 А |
| Макс. импульсный ток (I_CM) | 400 А |
| Падение напряжения (V_CE(sat)) | 1.8 В (тип.) |
| Входная емкость (C_ies) | 12 нФ |
| Мощность рассеяния (P_tot) | 600 Вт |
| Рабочая температура | -40°C до +150°C |
| Корпус | модуль (изолированный) |

Встроенный диод:

• Обратное напряжение (V_RRM) = 1200 В
• Прямой ток (I_F) = 200 А
• Время восстановления (t_rr) = 150 нс (тип.)

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от других производителей:

• Infineon: FF200R12KE3
• Mitsubishi (Rohm): CM200DY-12NF
• Fuji Electric: 2MBI200U2A-120
• SEMIKRON: SKM200GB12T4

Альтернативные версии (разные токи/напряжения):

• CM100DY-12HS40FS1 (100 А, 1200 В)
• CM300DY-12HS40FS1 (300 А, 1200 В)
• CM200DY-24HS40FS1 (200 А, 2400 В)

Примечания по замене

При выборе аналога важно учитывать:

• Напряжение и ток (V_CES, I_C)
• Тип корпуса и монтажные размеры
• Параметры встроенного диода
• Рабочую температуру

Если нужен точный аналог, рекомендуется сверяться с даташитом производителя.

Нужна дополнительная информация? Готов уточнить!