IGBT CM200E3U12F

Описание IGBT-модуля CM200E3U12F

CM200E3U12F — это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) от Mitsubishi Electric, предназначенный для высоковольтных и сильноточных применений в промышленной электронике, таких как:

• Преобразователи частоты
• Инверторы
• Системы управления электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Установки возобновляемой энергетики

Модуль выполнен в стандартном корпусе, обеспечивающем эффективное охлаждение, и содержит встроенные диоды обратного хода (антипараллельные диоды).

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |---------------------------|--------------| | Тип модуля | IGBT + диод | | Макс. напряжение (VCES) | 1200 В | | Номинальный ток (IC @ 80°C) | 200 А | | Пиковый ток (ICM) | 400 А | | Падение напряжения (VCE(sat)) | 2,3 В (тип.) | | Время включения (ton) | 100 нс | | Время выключения (toff) | 500 нс | | Рабочая частота | до 20 кГц | | Корпус | 3-уровневый, изолированный | | Температура хранения | -40°C ~ +125°C | | Вес | ~150 г |

Парт-номера и альтернативные обозначения

• Mitsubishi Part Number: CM200E3U12F
• Аналоги от других производителей:
  • Infineon: FF200R12KE3
  • Fuji Electric: 2MBI200V-120
  • SEMIKRON: SKM200GB12T4
  • ON Semiconductor: NXH200B120H3

Совместимые модули (аналогичные по характеристикам)

• Mitsubishi:
  • CM200DY-12NF (более старая версия)
  • CM200E3U-12F (альтернативное обозначение)
• Infineon: FF200R12KT4
• SEMIKRON: SKM200GB12T4
• Fuji Electric: 2MBI200U4B-120

Примечания

• Перед заменой проверяйте распиновку и характеристики, так как у разных производителей могут быть отличия в монтажных размерах и электрических параметрах.
• Рекомендуется использовать оригинальные Mitsubishi или сертифицированные аналоги для критичных применений.

Если нужна дополнительная информация (например, datasheet или схемы подключения), уточните запрос!