IGBT CM200E3U-12F

Описание IGBT модуля CM200E3U-12F

CM200E3U-12F – это IGBT-модуль третьего поколения (NPT, Non-Punch Through) с напряжением 1200 В и номинальным током 200 А в стандартном корпусе. Модуль содержит два IGBT-транзистора с антипараллельными диодами, собранные по схеме "полумоста". Основные сферы применения:

• Промышленные частотные преобразователи
• Системы управления электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Индукционные нагреватели
• Сварочное оборудование

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение | |-----------------------------|-------------| | Максимальное напряжение (V_CES) | 1200 В | | Номинальный ток коллектора (I_C) | 200 А | | Максимальный импульсный ток (I_CM) | 400 А | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2,8 В (при 200 А) | | Время включения (t_on) | 90 нс | | Время выключения (t_off) | 400 нс | | Максимальная рабочая температура | 150 °C | | Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0,12 °C/Вт | | Корпус | 6-выводной, модульный (SEMiX) | | Вес | ~180 г |

Парт-номера и аналоги

Оригинальные аналоги от Mitsubishi Electric:

• CM200E3U-12F (основная модель)
• CM200E3U-12H (более высокая стойкость к перегрузкам)
• CM200DY-12S (устаревший аналог)

Совместимые модели от других производителей:

• Infineon: FF200R12KE3, FZ200R12KE3
• Fuji Electric: 2MBI200U2A-120
• SEMIKRON: SKM200GB12T4
• ON Semiconductor: NGTB25N120FL2WG (дискретный аналог для замены в некоторых схемах)

Примечания по замене

• При замене необходимо учитывать схему подключения, тепловые характеристики и параметры встроенных диодов.
• Рекомендуется проверять datasheet на соответствие по времени переключения и потерям.

Если требуется более точный подбор аналога, уточните условия эксплуатации (частота переключения, охлаждение и т. д.).