IGBT CM200E3U-24F

IGBT модуль CM200E3U-24F

Описание:

Модуль CM200E3U-24F — это IGBT-транзистор с кремниевой технологией, предназначенный для высоковольтных и высокотоковых применений. Используется в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании и других силовых электронных устройствах. Имеет встроенный антипараллельный диод, что упрощает схемотехнику.

Технические характеристики:

| Параметр | Значение | |-------------------------|----------| | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Ток коллектора (I_C) при 25°C | 200 А | | Ток коллектора (I_C) при 100°C | 150 А | | Импульсный ток (I_CM) | 400 А | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2,4 В (тип.) | | Встроенный диод (FWD) | Да | | Ток диода (I_F) | 200 А | | Мощность рассеяния (P_tot) | 900 Вт | | Корпус | модуль (24-выводной) | | Рабочая температура | -40°C ... +150°C |

Парт-номера и аналоги:

Оригинальные замены (Mitsubishi):

• CM200E3U-24H (более новая версия)
• CM200DY-24F (аналог с другими выводами)

Совместимые модели (другие производители):

• Infineon: FF200R12KE3
• Fuji Electric: 2MBI200U4A-120
• SEMIKRON: SKM200GB12T4

Применение:

• Промышленные инверторы
• Электроприводы
• Сварочные аппараты
• Источники бесперебойного питания (ИБП)

Если нужны дополнительные данные (графики, схемы включения), уточните запрос.