IGBT CM200TU-12F

Описание IGBT модуля CM200TU-12F

Модель: CM200TU-12F
Производитель: Mitsubishi Electric (или другой бренд, если указано иначе)
Тип: IGBT-модуль (двухуровневый, с диодом обратного хода)
Назначение: Преобразователи частоты, инверторы, сварочное оборудование, промышленные приводы и другие силовые электронные системы.

Технические характеристики

Основные параметры:

• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Номинальный ток коллектора (I_C): 200 А (при 25°C)
• Ток коллектора (I_C) при 80°C: ~150 А (уточнять в даташите)
• Импульсный ток (I_CP): 400 А
• Рассеиваемая мощность (P_D): ~600 Вт (зависит от условий охлаждения)
• Тепловое сопротивление (R_th(j-c)): ~0.12 °C/W

Параметры IGBT:

• Напряжение насыщения (V_CE(sat)): ~2.1 В (при номинальном токе)
• Время включения (t_on): ~100 нс
• Время выключения (t_off): ~400 нс

Параметры диода:

• Максимальное обратное напряжение (V_RRM): 1200 В
• Прямое падение напряжения (V_F): ~1.8 В

Терминал и корпус:

• Корпус: модуль с изолированным основанием
• Монтаж: винтовое соединение
• Вес: ~200 г

Парт-номера и аналоги

Оригинальные номера:

• Mitsubishi: CM200TU-12F
• Другие варианты: CM200TU-12H (возможна модификация)

Совместимые/аналогичные модели:

• Infineon: FF200R12KE3
• Fuji Electric: 2MBI200U2A-120
• SEMIKRON: SKM200GB12T4
• Hitachi: CM200TU-12F (если тот же производитель)

При замене аналогами важно проверять распиновку, характеристики и условия охлаждения.

Примечания:

• Для точных данных рекомендуется использовать даташит производителя.
• Указанные параметры могут варьироваться в зависимости от температуры и условий эксплуатации.
• Перед установкой проверьте соответствие электрических и механических характеристик.

Если нужна дополнительная информация (например, графики зависимостей или схемы подключения), уточните!