IGBT CM25YE1312H

Описание IGBT CM25YE1312H

IGBT CM25YE1312H – это мощный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для применения в силовой электронике, инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании и системах управления электродвигателями. Модуль сочетает высокую эффективность, низкие потери проводимости и переключения, а также надежную конструкцию, обеспечивающую стабильную работу в тяжелых условиях.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |-----------------------------|--------------------------------------| | Тип устройства | IGBT + диод (полумост или одиночный) | | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Ток коллектора (I_C) | 25 А (при 25°C) | | Ток импульсный (I_CM) | 50 А | | Мощность (P_tot) | ~100–150 Вт (зависит от охлаждения) | | Падение напряжения (V_CE(sat)) | ~1.7–2.5 В (при номинальном токе) | | Время включения (t_on) | ~30–50 нс | | Время выключения (t_off) | ~100–200 нс | | Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C | | Корпус | TO-247 или аналогичный (уточнить по datasheet) | | Совместимые драйверы | IR2110, IR2184, HCPL-316J и др. |

Парт-номера и аналоги

Оригинальные / прямые аналоги:

• CM25YE1312H (оригинальный номер)
• FGA25N120ANTD (Fairchild)
• IRG4PH50UD (Infineon)
• HGTG20N120BND (STMicroelectronics)

Совместимые модели (с проверкой распиновки и параметров):

• 25MB120A (IXYS)
• NGTB25N120LWG (ON Semiconductor)
• APT25GR120J (Microchip)

Применение

• Инверторы и частотные преобразователи
• Сварочные аппараты
• Управление электродвигателями
• Импульсные блоки питания

Для точного подбора аналога рекомендуется свериться с datasheet производителя, так как параметры могут отличаться в зависимости от производителя и модификации.

Если нужна дополнительная информация по замене или схемы применения – уточните!