IGBT CM25YE13-12H

Описание IGBT CM25YE13-12H

IGBT CM25YE13-12H – это высоковольтный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для применения в импульсных источниках питания, инверторах, сварочном оборудовании и промышленных системах управления.

Этот модуль сочетает в себе высокую эффективность, низкие потери проводимости и переключения, а также хорошую термостабильность.

Технические характеристики

Основные параметры:

• Тип: IGBT модуль (NPT)
• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Ток коллектора (I_C): 25 А (при 25°C)
• Ток импульсный (I_CM): 50 А
• Мощность рассеивания (P_tot): 150 Вт
• Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)): 2,0 В (при 25 А)

Параметры переключения:

• Время включения (t_on): 60 нс
• Время выключения (t_off): 200 нс
• Пороговое напряжение затвора (V_GE(th)): 5,5 В

Температурные характеристики:

• Рабочая температура: -40°C до +150°C
• Тепловое сопротивление (R_th(j-c)): 0,35 °C/Вт

Корпус:

• Тип корпуса: модуль с изолированным основанием
• Монтаж: винтовое крепление

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и заменители:

• IRG4PH50UD (International Rectifier)
• FGA25N120ANTD (Fairchild)
• HGTG20N120B3D (ON Semiconductor)
• IXGH25N120B3D (IXYS)

Совместимые модели в схожих сериях:

• CM50YE12-12H (50A, 1200V)
• CM20YE13-12H (20A, 1200V)
• CM30YE13-12H (30A, 1200V)

Применение

• Инверторы и частотные преобразователи
• Сварочные аппараты
• Промышленные системы управления
• Источники бесперебойного питания (ИБП)

Если нужна более точная информация по аналогам или специфическим условиям эксплуатации, уточните параметры.