IGBT CM30MD12H

Описание IGBT CM30MD12H

CM30MD12H — это N-канальный IGBT-транзистор с ультрабыстрым диодом в корпусе TO-247, предназначенный для высокоэффективного управления мощностью. Модуль применяется в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании и системах электропривода.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|-------------------------|----------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Ток коллектора (I_C) | 30 А |
| Ток импульсный (I_CM) | 60 А |
| Мощность рассеивания (P_D) | 200 Вт |
| Напряжение управления (V_GE) | ±20 В |
| Падение напряжения (V_CE(sat)) | 2.1 В (при 15 А) |
| Время включения (t_on) | 50 нс |
| Время выключения (t_off) | 220 нс |
| Диапазон рабочих температур | -55°C ... +150°C |
| Корпус | TO-247 |

Парт-номера и аналоги

Оригинальные замены:

• CM30MD12H3 (версия с улучшенными параметрами)
• CM30MD12H4
• CM30MD12H5

Совместимые аналоги от других производителей:

• IRG4PH40UD (International Rectifier)
• FGA30N120ANTD (Fairchild/ON Semiconductor)
• HGTG30N120B3D (Microsemi)
• IXGH30N120B3D1 (IXYS)

Похожие модели (с другими параметрами):

• CM20MD12H (20 А, 1200 В)
• CM50MD12H (50 А, 1200 В)
• CM30MD10H (30 А, 1000 В)

Применение

• Силовые инверторы
• Сварочные аппараты
• Управление электродвигателями
• Импульсные блоки питания

Если требуется точная замена, рекомендуется сверять datasheet и параметры в конкретной схеме. Некоторые аналоги могут отличаться по динамическим характеристикам или тепловым режимам.

Нужны дополнительные данные или уточнения? Готов помочь!