IGBT cm50dy-12e

Описание IGBT CM50DY-12E

IGBT CM50DY-12E – это двухканальный IGBT-транзистор с обратным диодом, предназначенный для применения в инверторах, импульсных источниках питания, частотных преобразователях и других силовых электронных устройствах. Модуль имеет низкие потери проводимости и переключения, а также высокую надежность.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |---------------------------|--------------| | Тип модуля | IGBT + диод (2 в 1) | | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В | | Номинальный ток (I_C) | 50 А (при 25°C) | | Макс. импульсный ток (I_CM) | 100 А | | Мощность (P_tot) | 200 Вт | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 1.8 В (тип.) | | Время включения (t_on) | ~50 нс | | Время выключения (t_off) | ~200 нс | | Корпус | TO-247 или аналогичный | | Температура хранения | -40°C до +125°C | | Температура перехода (T_j) | до +150°C |

Парт-номера и аналоги

Оригинальные номера:

• CM50DY-12E (основная модель)
• CM50DY-12H (возможна модификация)

Совместимые аналоги:

1. IRG4PH50UD (International Rectifier)
2. FGA50N60 (Fairchild/ON Semiconductor)
3. HGTG50N60A4D (Microsemi)
4. IXGH50N60B (IXYS)
5. STGW50NC60WD (STMicroelectronics)

Примечание: При замене на аналог рекомендуется проверять распиновку и характеристики, так как параметры могут незначительно отличаться.

Применение

• Инверторы
• Частотные преобразователи
• Импульсные блоки питания
• Сварочное оборудование
• Управление двигателями

Если вам нужны более точные данные (например, графики зависимостей), уточните производителя (возможно, Mitsubishi или другой бренд).