IGBT cm50e3y-12h

Описание IGBT CM50E3Y-12H

CM50E3Y-12H – это биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) в корпусе TO-247, предназначенный для применения в силовой электронике. Используется в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании и импульсных источниках питания.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------|----------| | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Ток коллектора (I_C) | 50 А (при 25°C) | | Максимальный импульсный ток (I_CM) | 100 А | | Мощность рассеяния (P_D) | 200 Вт | | Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В | | Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)) | 2,5 В (при I_C = 50 А) | | Время включения (t_on) | 35 нс | | Время выключения (t_off) | 200 нс | | Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C | | Корпус | TO-247 (3 вывода) |

Альтернативные парт-номера и совместимые модели

• Совместимые IGBT с аналогичными параметрами:

  • IRG4PH50UD (International Rectifier)
  • FGA50N120ANTD (Fairchild/ON Semiconductor)
  • HGTG50N120BN (Microsemi)
  • IXGH50N120B3 (IXYS)

• Альтернативные обозначения (в зависимости от производителя):

  • CM50E3Y-12H (оригинал)
  • CM50E3Y12H (вариант написания без дефиса)

Применение

• Преобразователи частоты
• Сварочные инверторы
• Импульсные блоки питания
• Системы управления двигателями

Если требуется замена, важно учитывать рабочие параметры и конструкцию схемы (наличие диода обратного хода и др.). Для точного подбора аналога рекомендуется проверять даташиты.

Нужны дополнительные данные или аналоги? Уточните детали!