IGBT CM50E3Y-24E

Описание IGBT CM50E3Y-24E

IGBT CM50E3Y-24E – это биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для высоковольтных и высокотоковых применений, таких как промышленные инверторы, сварочное оборудование, электроприводы и системы управления мощностью. Модуль имеет низкие потери проводимости и переключения, обеспечивая высокую энергоэффективность.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |-----------------------------|--------------------------------------| | Тип IGBT | N-канальный с антипараллельным диодом | | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Ток коллектора (I_C) | 50 А (при 25°C) | | Импульсный ток (I_CM) | 100 А | | Рассеиваемая мощность (P_tot) | 200 Вт | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2.5 В (тип.) | | Время включения (t_on) | 60 нс | | Время выключения (t_off) | 200 нс | | Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0.35 °C/Вт | | Диапазон рабочих температур | -40°C до +150°C | | Корпус | TO-247 или аналогичный |

Парт-номера и аналоги

Прямые замены (аналогичные модели):

• FGA50N120ANTD (Fairchild)
• IXGH50N120B3 (IXYS)
• IRG4PC50UD (Infineon)

Совместимые модели (схожие параметры):

• CM50DY-24H (Mitsubishi)
• CM50E3U-12H (напряжение 600 В)
• CM75E3Y-24E (75 А, 1200 В)

Применение

• Преобразователи частоты
• Инверторы и импульсные источники питания
• Управление электродвигателями
• Сварочные аппараты

Если требуется уточнение по конкретному аналогу или условиям эксплуатации, укажите дополнительные параметры.