IGBT cm50e3y-24g

Описание IGBT CM50E3Y-24G

CM50E3Y-24G – это изолированный биполярный транзистор с затвором (IGBT), разработанный для высоковольтных и высокочастотных применений. Модуль имеет встроенный диод обратного восстановления (FRD), что делает его подходящим для инверторных схем, частотных преобразователей, источников бесперебойного питания (ИБП) и промышленных систем управления электродвигателями.

Корпус модуля обеспечивает хорошее охлаждение и электрическую изоляцию, что позволяет использовать его в мощных преобразовательных устройствах.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |-------------------------|-------------------------------| | Тип устройства | IGBT + FRD (Flyback Diode) | | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Максимальный ток коллектора (I_C) | 50 А (при 25°C) | | Ток короткого замыкания (I_SC) | 100 А (макс.) | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2.1 В (тип.) | | Напряжение затвора (V_GE) | ±20 В (макс.) | | Время включения (t_on) | 65 нс (тип.) | | Время выключения (t_off) | 310 нс (тип.) | | Диодное прямое напряжение (V_FM) | 1.7 В (тип.) | | Тепловое сопротивление переход-корпус (R_th(j-c)) | 0.5 °C/Вт | | Рабочая температура | -40°C до +150°C | | Корпус | Изолированный (модуль) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от других производителей:

• Infineon: FF50R12RT4
• Mitsubishi Electric: CM50DY-24H
• Fuji Electric: 2MBI50U-120
• SEMIKRON: SKM50GB123D

Парт-номера для замены:

• CM50E3Y-24 (без суффикса "G")
• CM50E3Y-24H (модификация с улучшенными параметрами)
• CM50E3Y-24S (серия с улучшенной теплоотдачей)

Совместимые модули в схемах:

• CM75E3Y-24G (75A, 1200V) – для более мощных систем
• CM30E3Y-24G (30A, 1200V) – для менее нагруженных схем
• CM100E3Y-24G (100A, 1200V) – для высокомощных инверторов

Применение

• Преобразователи частоты
• Сварочные инверторы
• Системы управления двигателями
• ИБП и солнечные инверторы
• Промышленные источники питания

Если вам нужны дополнительные аналоги или уточнения по параметрам, укажите конкретные требования.