IGBT CM50E3Y24H

Описание IGBT CM50E3Y24H

IGBT CM50E3Y24H – это биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для высокоэффективного управления мощностью в инверторах, преобразователях, системах управления электродвигателями и других силовых электронных устройствах. Модуль обладает низкими потерями проводимости и переключения, высокой температурной стабильностью и надежностью.

Основные технические характеристики

Электрические параметры:

• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Ток коллектора (I_C): 50 А (при 25°C)
• Ток коллектора (I_C): 25 А (при 100°C)
• Максимальная импульсная мощность (P_tot): 300 Вт
• Напряжение насыщения (V_CE(sat)): 2,5 В (тип.)
• Время включения (t_on): 50 нс
• Время выключения (t_off): 200 нс
• Тепловое сопротивление (R_th(j-c)): 0,5 °C/Вт

Механические и эксплуатационные параметры:

• Корпус: TO-247 (3-выводной)
• Диапазон рабочих температур: -40°C до +150°C
• Изоляция корпуса: Нет (требуется изолирующая прокладка)

Встроенные компоненты:

• Быстрый диод обратного восстановления (FRD) в одном корпусе

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• Infineon: IKW50N120T2, IKW50N120H3
• Fuji Electric: 2MBI50S-120
• Mitsubishi: CM50DY-24H
• ON Semiconductor: FGH50T120SMD

Совместимые модели (схожие параметры):

• IXYS: IXGH50N120B3
• STMicroelectronics: STGW50H120DF2
• Toshiba: GT50J124

Данный IGBT модуль широко применяется в промышленных частотных преобразователях, сварочных инверторах и источниках бесперебойного питания (ИБП). При замене рекомендуется проверять соответствие характеристик и распиновки.

Если нужны дополнительные параметры (графики, схемы включения), уточните запрос.