IGBT CM50MD12H

Описание IGBT модуля CM50MD12H

CM50MD12H — это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) с номинальным током 50 А и напряжением 1200 В, предназначенный для высоковольтных и сильноточных применений. Модуль содержит два IGBT-транзистора с антипараллельными диодами, что делает его подходящим для инверторов, преобразователей частоты, сварочного оборудования и других силовых электронных устройств.

Основные технические характеристики:

• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Номинальный ток коллектора (I_C): 50 А (при 25°C)
• Максимальный импульсный ток (I_CM): 100 А
• Напряжение насыщения (V_CE(sat)): 2,1 В (типовое при 25 А)
• Время включения (t_on): 180 нс
• Время выключения (t_off): 500 нс
• Тепловое сопротивление (R_th(j-c)): 0,35 °C/Вт
• Диапазон рабочих температур: от -40°C до +150°C
• Корпус: модульный, изолированный
• Вес: ~100 г

Эквиваленты и совместимые модели

Парт-номера (аналоги):

• MITSUBISHI: CM50DY-12H
• FUJI: 2MBI50N-120
• SEMIKRON: SKM50GB12T4
• INFINEON: FF50R12RT4
• IR (International Rectifier): IRG4PH50UD

Совместимые модели (по характеристикам):

• CM75MD12H (75 А, 1200 В)
• CM100MD12H (100 А, 1200 В)
• CM30MD12H (30 А, 1200 В)
• SKM50GB128D (Semikron, 50 А, 1200 В)

Применение:

• Частотные преобразователи
• Инверторы
• Сварочные аппараты
• Управление электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)

Если требуется более точный аналог, следует учитывать параметры V_CE, I_C и тепловые характеристики.