IGBT CM50TF-12

Описание IGBT модуля CM50TF-12

Производитель: Fuji Electric (или другой, если уточнено)
Тип: IGBT-модуль с диодом обратного хода (встроенный антипараллельный диод)
Назначение: Управление мощностью в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании, промышленных приводах.

Технические характеристики

Основные параметры:

• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Номинальный ток коллектора (I_C): 50 А (при 25°C)
• Ток коллектора (I_C) при 80°C: ~35 А (зависит от условий охлаждения)
• Импульсный ток (I_CP): 100 А
• Мощность рассеивания (P_tot): ~200 Вт (с радиатором)
• Напряжение насыщения (V_CE(sat)): ~2.0 В (при номинальном токе)
• Время включения (t_on): ~100 нс
• Время выключения (t_off): ~300 нс
• Температура перехода (T_j): от -40°C до +150°C

Характеристики встроенного диода:

• Максимальное обратное напряжение (V_RRM): 1200 В
• Прямой ток (I_F): 50 А
• Время восстановления (t_rr): ~150 нс

Управление:

• Напряжение затвора-эмиттера (V_GE): ±20 В (рекомендуемое: +15 В / -5…-10 В)
• Заряд затвора (Q_g): ~200 нКл

Корпус:

• Тип: модуль с изолированным основанием
• Монтаж: винтовой или на радиатор

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги от Fuji Electric:

• CM50DY-12H (аналогичные параметры)
• CM50TF-12H (возможна модификация)

Аналоги от других производителей:

• Infineon: FF50R12RT4
• Mitsubishi: CM50TF-12 (тот же номер, возможен двойной источник)
• SEMIKRON: SKM50GB12T4
• IXYS: IXGH50N120B3

Совместимые модели в схемах:

• Модули с параметрами 50 А / 1200 В и схожей структурой вывода (например, CM75TF-12 для большей мощности).

Примечания:

1. Проверяйте распиновку и характеристики перед заменой.
2. Учитывайте условия охлаждения (модуль требует радиатора).
3. Рекомендуется использовать оригинальные драйверы затвора для надежной работы.

Если нужна информация по конкретному применению или datasheet, уточните производителя!