IGBT cm50tu-12h

Описание IGBT CM50TU-12H

CM50TU-12H – это биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для применения в мощных преобразовательных устройствах, таких как инверторы, частотные приводы, сварочное оборудование и системы управления электродвигателями.

Этот модуль сочетает в себе высокую переключательную способность, низкие потери проводимости и устойчивость к перегрузкам. Корпус обеспечивает хорошие тепловые характеристики и простоту монтажа на радиатор.

Технические характеристики

Основные параметры:

• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 600 В
• Ток коллектора (I_C @25°C): 50 А
• Ток коллектора (I_C @100°C): 30 А
• Импульсный ток (I_CM): 100 А
• Рассеиваемая мощность (P_D): 200 Вт
• Напряжение затвор-эмиттер (V_GE): ±20 В
• Сопротивление в открытом состоянии (V_CE(sat)): 1,8 В (при I_C = 50 А)

Тепловые параметры:

• Температура перехода (T_j): -40°C до +150°C
• Термическое сопротивление (R_th(j-c)): 0,5 °C/Вт

Динамические характеристики:

• Время включения (t_on): 100 нс
• Время выключения (t_off): 300 нс

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• CM50DY-12H (аналог с другим корпусом)
• CM50E3U-12H
• CM50TU-24H (версия с напряжением 1200 В)
• SKM50GB123D (от Semikron)
• FF50R12RT4 (Infineon)
• MG50Q6ES40 (Mitsubishi)

Совместимые модули в схемах:

Модуль может заменяться на аналоги с близкими параметрами (600 В, 50 А), но перед заменой необходимо проверить распиновку и характеристики управления затвором.

Применение

• Промышленные инверторы
• Частотные преобразователи
• Сварочные аппараты
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Системы управления электродвигателями

Если вам нужна специфическая замена или уточнение параметров, укажите условия эксплуатации.