IGBT CM600HN5F

Описание IGBT CM600HN5F

CM600HN5F — это высоковольтный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), разработанный для мощных импульсных и инверторных применений. Модуль обладает высокой эффективностью, низкими потерями при переключении и высокой перегрузочной способностью.

Основные области применения:

• Промышленные приводы
• Инверторы для возобновляемой энергетики
• Сварочное оборудование
• Системы плавного пуска двигателей
• Источники бесперебойного питания (ИБП)

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип модуля | IGBT + диод (полумост или одиночный) |
| Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В |
| Номинальный ток коллектора (I_C) | 600 А (при 25°C) |
| Ток короткого замыкания (I_SC) | 1200 А |
| Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)) | ~1.8 В (типовое) |
| Энергия переключения (E_on / E_off) | Зависит от условий, см. datasheet |
| Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | ~0.08 °C/Вт |
| Максимальная температура перехода (T_j) | 150°C |
| Корпус | Стандартный модуль (например, 62 мм × 140 мм) |
| Вес | ~400 г (зависит от производителя) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от других производителей:

• Infineon: FF600R06KE3
• Mitsubishi: CM600HA-5F
• Fuji Electric: 6MBI600VN-060
• Semikron: SKM600GB066D

Парт-номера в разных корпусах/исполнениях:

• CM600HN5F-24 (другая версия корпуса)
• CM600HN5F-ND (версия для специфичных применений)

Примечания:

1. Совместимость:

   • Модуль может заменяться аналогами с аналогичными параметрами (600A, 600V, низкое V_CE(sat)).
   • Важно проверять распиновку и тепловые характеристики перед заменой.

2. Охлаждение:

   • Рекомендуется использование термопасты и радиатора с низким тепловым сопротивлением.

3. Даташит:

   • Для точных параметров переключения и граничных условий следует обратиться к официальной документации производителя (Hitachi, Mitsubishi или аналогов).

Если вам нужна дополнительная информация по заменам или применению, уточните условия эксплуатации!