IGBT CM75DU12H

Описание IGBT CM75DU12H

IGBT CM75DU12H – это силовой транзистор с изолированным затвором (IGBT) в модульном исполнении, предназначенный для применения в преобразователях частоты, импульсных источниках питания, сварочных инверторах и других мощных электронных устройствах. Модуль совмещает в себе IGBT и диод обратного восстановления (FRD), обеспечивая высокую эффективность и надежность в схемах инверторов и моторных приводов.

Основные технические характеристики

Общие параметры:

• Тип модуля: IGBT + FRD (Fast Recovery Diode)
• Конфигурация: 2 в 1 (два IGBT и два диода в одном корпусе)
• Корпус: модуль с изолированным основанием
• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Ток коллектора (I_C): 75 А (при 25°C)
• Ток импульсный (I_CP): 150 А
• Рассеиваемая мощность (P_D): 300 Вт
• Температура перехода (T_j): -40°C до +150°C

Параметры IGBT:

• Падение напряжения V_CE(sat): 2,0 В (при 75 А)
• Время включения (t_on): 90 нс
• Время выключения (t_off): 300 нс
• Входная емкость (C_ies): 10 нФ

Параметры диода (FRD):

• Прямое напряжение (V_F): 1,7 В (при 75 А)
• Время восстановления (t_rr): 120 нс

Парт-номера и аналоги

Оригинальный номер и аналоги от других производителей:

• Mitsubishi Electric:
  • CM75DU12H (оригинал)
  • CM75DY12H (аналог с улучшенными характеристиками)
• Infineon:
  • FF75R12KE3
• Fuji Electric:
  • 2MBI75U-120
• Semikron:
  • SKM75GB12T4

Совместимые модели (аналоги в других линейках):

• CM50DU12H (50 А, 1200 В)
• CM100DU12H (100 А, 1200 В)
• CM150DU12H (150 А, 1200 В)

Применение

• Преобразователи частоты
• Инверторы для электродвигателей
• Сварочные аппараты
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Промышленные системы управления

Модуль CM75DU12H отличается высокой перегрузочной способностью и надежностью, что делает его популярным в промышленных и силовых электронных приложениях.

Если вам нужны уточнения по замене или схемам подключения, уточните детали!