IGBT CM75E3Y-12G

Описание IGBT CM75E3Y-12G

IGBT CM75E3Y-12G – это высоковольтный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для использования в мощных инверторах, преобразователях частоты, сварочном оборудовании и других силовых электронных устройствах. Модуль имеет низкие потери проводимости и переключения, высокую температурную стабильность и встроенный диод обратного восстановления (FRD).

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------------------------|----------------------------------| | Тип модуля | IGBT + FRD (Fast Recovery Diode) | | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Ток коллектора (I_C) при 25°C | 75 А (непрерывный) | | Ток коллектора (I_C) при 100°C | 50 А (непрерывный) | | Импульсный ток (I_CM) | 150 А | | Мощность рассеивания (P_tot) | 300 Вт | | Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В | | Время включения (t_on) | 80 нс (типовое) | | Время выключения (t_off) | 350 нс (типовое) | | Корпус | 6-контактный (обычно 1 в 1) | | Рабочая температура | -40°C … +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги (полные замены):

• CM75E3Y-12H (модифицированная версия)
• CM75DY-12H (близкий аналог)
• CM75DY-12G
• CM75DY-24A (на 1200 В, но с другими параметрами)

Совместимые модели (подходят в некоторых схемах):

• SKM75GB12T4 (Semikron)
• FF75R12RT4 (Infineon)
• MG75Q1BS41 (Mitsubishi)
• FGA75N120ANTD (Fairchild/ON Semi)

Примечание

При замене модуля важно учитывать:

• Напряжение и токовые характеристики,
• Скорость переключения,
• Тип корпуса и расположение выводов.

Рекомендуется проверять техническую документацию перед установкой аналога.