IGBT CM75E3Y24E

Описание IGBT CM75E3Y24E

IGBT CM75E3Y24E – это высоковольтный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), разработанный для мощных импульсных преобразователей, инверторов и промышленных систем управления. Модуль сочетает в себе высокую эффективность, низкие потери и надежность в тяжелых условиях эксплуатации.

Технические характеристики

• Тип устройства: IGBT + диод (NPT-технология)
• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Ток коллектора (I_C): 75 А (при 25°C)
• Ток импульсный (I_CM): 150 А
• Мощность рассеяния (P_tot): 300 Вт
• Падение напряжения (V_CE(sat)): 2,4 В (при 75 А)
• Время включения (t_on): 60 нс
• Время выключения (t_off): 300 нс
• Температура перехода (T_j): от -40°C до +150°C
• Корпус: модульный, изолированный (TO-247 или аналогичный)

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• Infineon: IKW75N120T2
• Fuji Electric: 2MBI100U2A-120
• Mitsubishi: CM75DY-24H
• SEMIKRON: SKM75GB12T4
• IXYS: IXGH75N120

Совместимые модели в линейке производителя:

• CM50E3Y24E (50 А, 1200 В)
• CM100E3Y24E (100 А, 1200 В)
• CM150E3Y24E (150 А, 1200 В)

Применение

• Промышленные инверторы
• Сварочные аппараты
• Управление электродвигателями
• Системы возобновляемой энергетики (солнечные инверторы)

Если требуется уточнение по конкретному аналогу или корпусу, укажите производителя и условия эксплуатации.