IGBT cm75e3y-24f

Описание IGBT CM75E3Y-24F

IGBT CM75E3Y-24F – это мощный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для применения в силовой электронике, таких как инверторы, преобразователи частоты, сварочные аппараты и промышленные приводы. Устройство сочетает высокую эффективность, низкие потери при коммутации и устойчивость к перегрузкам.

Основные технические характеристики:

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип | IGBT с быстрым диодом |
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Ток коллектора (I_C) | 75 А (при 25°C) |
| Ток импульсный (I_CM) | 150 А |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2.5 В (тип.) |
| Время включения (t_on) | 35 нс |
| Время выключения (t_off) | 180 нс |
| Корпус | TO-247 |
| Рабочая температура | -40°C ... +150°C |
| Встроенный диод | Да |
| Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В |

Альтернативные парт-номера и совместимые модели:

• Аналоги от других производителей:
  • Infineon: IKW75N120T2
  • Fuji Electric: 2MBI75X-120
  • Mitsubishi Electric: CM75DY-24H
  • SEMIKRON: SKM75GB12T4
• Прямые аналоги (парт-номера):
  • CM75E3Y-24F (оригинал)
  • CM75E3Y-24F-R (модификация с улучшенными характеристиками)

Совместимые модули и замены:

Модуль может быть заменён на аналогичные по характеристикам IGBT в корпусе TO-247 с напряжением 1200 В и током 75 А.

Применение:

• Преобразователи частоты
• Инверторы
• Сварочные аппараты
• Системы управления электродвигателями

Если требуется более точная замена, необходимо учитывать параметры схемы (напряжение, ток, частоту переключений).