IGBT CM75E3Y-24H

Описание IGBT CM75E3Y-24H

IGBT CM75E3Y-24H – это высоковольтный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для применения в силовой электронике, инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании и системах управления электродвигателями. Модуль обладает высокой перегрузочной способностью, низкими потерями при переключении и высокой надежностью.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |-----------------------------|----------------------------------| | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Ток коллектора (I_C) | 75 А (при 25°C) | | Ток коллектора (I_C) | 150 А (пиковый) | | Мощность рассеивания (P_tot) | 330 Вт | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2,5 В (при 75 А) | | Время включения (t_on) | 110 нс | | Время выключения (t_off) | 480 нс | | Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C | | Корпус | модуль (изолированный) | | Тип крепления | винтовое (с изолированной подложкой) | | Вес | ~200 г |

Парт-номера и совместимые модели

Альтернативные парт-номера:

• CM75E3Y-24H (оригинал)
• CM75DY-24H (аналог с близкими параметрами)
• CM75E3U-24H (модификация с другим корпусом)

Совместимые аналоги от других производителей:

• Infineon: FF75R12RT4
• Fuji Electric: 2MBI75S-120
• Mitsubishi: CM75DY-24H
• Semikron: SKM75GB12T4

Применение

• Преобразователи частоты
• Инверторы
• Сварочные аппараты
• Управление двигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)

Если требуется замена, важно учитывать электрические параметры и конструктивное исполнение. Рекомендуется проверять datasheet перед установкой аналога.