IGBT CM75TF-12

Описание IGBT CM75TF-12

IGBT CM75TF-12 – это модуль с изолированным корпусом, содержащий транзистор с изолированным затвором (IGBT) и диод обратного тока (FWD). Предназначен для применения в мощных импульсных преобразователях, инверторах, частотных приводах и других силовых электронных устройствах.

Модуль выполнен в стандартном корпусе, обеспечивающем хорошие тепловые характеристики и удобство монтажа.

Технические характеристики

Основные параметры:

• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Ток коллектора (I_C): 75 А (при T_c=25°C)
• Ток коллектора (I_C): 50 А (при T_c=80°C)
• Пиковый ток (I_CM): 150 А
• Рассеиваемая мощность (P_tot): 300 Вт
• Тепловое сопротивление (R_th(j-c)): 0,35 °C/Вт

Параметры IGBT:

• Пороговое напряжение затвора (V_GE(th)): 5,5 В
• Напряжение насыщения (V_CE(sat)): 2,5 В (при I_C=75 А)
• Время включения (t_on): 50 нс
• Время выключения (t_off): 300 нс

Параметры диода:

• Прямое падение напряжения (V_F): 1,8 В (при I_F=75 А)
• Время восстановления (t_rr): 150 нс

Температурные характеристики:

• Рабочая температура (T_j): от -40°C до +150°C
• Температура хранения: от -40°C до +125°C

Механические характеристики:

• Корпус: модульный, с изолированным основанием
• Вес: ~100 г
• Крепление: винтовое

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от других производителей:

• Infineon: FF75R12RT4
• Mitsubishi: CM75TF-12 (оригинал)
• Fuji Electric: 2MBI75TF-120
• Semikron: SKM75GB12T4

Совместимые модели (схожие по параметрам):

• CM50TF-12 (50 А, 1200 В)
• CM100TF-12 (100 А, 1200 В)
• CM150TF-12 (150 А, 1200 В)
• CM200TF-12 (200 А, 1200 В)

Применение

• Промышленные инверторы
• Частотные преобразователи
• Сварочные аппараты
• ИБП и системы резервного питания
• Электрические транспортные средства

При замене на аналог рекомендуется учитывать параметры и схему подключения.