IGBT CM75TF12H

Описание IGBT CM75TF12H

CM75TF12H — это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) с напряжением 1200 В и током коллектора 75 А. Модуль предназначен для применения в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании и других силовых электронных устройствах.

Модуль имеет низкие потери проводимости и переключения, высокую надежность и встроенный термодиод для контроля температуры.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|---------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Ток коллектора (I_C) при 25°C | 75 А |
| Ток коллектора (I_C) при 80°C | 50 А |
| Импульсный ток коллектора (I_CM) | 150 А |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2,3 В (при I_C = 75 А) |
| Время включения (t_on) | 45 нс |
| Время выключения (t_off) | 280 нс |
| Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0,35 °C/Вт |
| Максимальная температура перехода (T_j) | 150 °C |
| Корпус | TO-247 (или аналогичный модульный) |
| Встроенный диод | Да (антипараллельный) |

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги и замены:

• IRG4PH50UD (International Rectifier)
• FGA75N65SMD (Fairchild/ON Semiconductor)
• IXGH75N120 (IXYS)
• STGW75HF12S (STMicroelectronics)

Совместимые модели в схожих корпусах:

• CM50TF12H (50 А, 1200 В)
• CM100TF12H (100 А, 1200 В)
• CM150TF12H (150 А, 1200 В)

Применение

• Инверторы и частотные преобразователи
• Сварочные аппараты
• Управление электродвигателями
• Импульсные источники питания

Если вам нужны точные параметры для замены, рекомендуется свериться с datasheet производителя (например, Mitsubishi, Fuji, Infineon).