IGBT CM75TU12F

Описание IGBT CM75TU12F

IGBT CM75TU12F – это транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для высоковольтных и высокотоковых применений, таких как преобразователи частоты, сварочные аппараты, индукционные нагреватели и промышленные приводы. Модуль выполнен в корпусе, обеспечивающем эффективное охлаждение и высокую надежность в тяжелых условиях эксплуатации.

Технические характеристики

Основные параметры:

• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Ток коллектора (I_C): 75 А (при 25°C)
• Ток коллектора (I_C): 150 А (импульсный)
• Мощность рассеивания (P_tot): 300 Вт
• Напряжение насыщения (V_CE(sat)): 2,5 В (типовое)
• Время включения/выключения (t_on/t_off): 100 нс / 500 нс

Диодные характеристики (встроенный обратный диод):

• Прямое напряжение (V_F): 1,8 В
• Время восстановления (t_rr): 150 нс

Тепловые параметры:

• Температура перехода (T_j): -40°C до +150°C
• Тепловое сопротивление (R_th(j-c)): 0,25 °C/Вт

Корпус:

• Модуль с изолированным основанием (изолированный корпус)
• Тип крепления: винтовое

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и альтернативные модели:

• Mitsubishi: CM75TU-12F, CM75DY-12H
• Fuji Electric: 2MBI75U-120
• Infineon: FF75R12KT3
• SEMIKRON: SKM75GB12T4
• IR (International Rectifier): IRG7PH35UD

Совместимые замены (в зависимости от схемы):

• Toshiba MG75Q1US41
• Hitachi (Renesas) 6MBP75RA120

Применение

• Преобразователи частоты
• Инверторы для электроприводов
• Сварочное оборудование
• Импульсные источники питания
• Индукционные нагреватели

Если вам нужна более точная замена, уточните параметры вашей схемы (напряжение, ток, частота переключений).