IGBT CM75TU12H

Описание IGBT модуля CM75TU12H

CM75TU12H – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) с номинальным током 75 А и напряжением 1200 В, предназначенный для высокоэффективных силовых преобразований. Используется в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании и промышленных приводах.

Модуль обладает низкими коммутационными потерями, высокой температурной стабильностью и встроенным быстрым диодом, что делает его пригодным для импульсных режимов работы.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------------------------|-------------| | Тип модуля | IGBT + диод | | Макс. напряжение (V_CES) | 1200 В | | Номинальный ток (I_C при 25°C) | 75 А | | Макс. ток (I_CM) | 150 А | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | ~1,8 В | | Мощность рассеивания (P_tot) | до 300 Вт | | Темп. диапазон (T_j) | -40°C…+150°C | | Корпус | Стандартный 2-выводной (TO-247 или аналогичный) | | Встроенный диод | Да (Fast Recovery Diode) | | Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | ~0,25 °C/Вт |

Part Numbers и совместимые модели

Аналоги и замены

• Mitsubishi: CM75TU12H (оригинал)
• Infineon: FF75R12KT4
• Fuji Electric: 2MBI75U4H-120
• SEMIKRON: SKM75GB12T4
• IXYS: IXGR75N120C3

Совместимые модели (по характеристикам)

• CM50TU12H (50A, 1200V) – для меньших токов
• CM100TU12H (100A, 1200V) – для больших нагрузок
• IRG4PH50UD (International Rectifier)

Применение

• Промышленные инверторы
• Частотные преобразователи
• Сварочные аппараты
• Системы управления электродвигателями

Если вам нужна более точная информация по заменам или datasheet, уточните производителя (оригинальный модуль выпускался Mitsubishi, но есть аналоги других брендов).