IGBT CM75TU-12H

тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT CM75TU-12H
Описание IGBT CM75TU-12H
IGBT CM75TU-12H – это высоковольтный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для использования в мощных импульсных и силовых электронных устройствах. Модуль выполнен в стандартном корпусе, обеспечивающем эффективное охлаждение и простоту монтажа.
Основные области применения:
- Преобразователи частоты
- Инверторы
- Промышленные приводы
- Системы управления электродвигателями
- Источники бесперебойного питания (ИБП)
- Сварочное оборудование
Технические характеристики
| Параметр | Значение |
|----------------------------|----------------------------------|
| Тип | IGBT модуль |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 1200 В |
| Ток коллектора (IC) при 25°C | 75 А (непрерывный) |
| Ток коллектора (IC) при 80°C | 150 А (импульсный) |
| Напряжение насыщения (VCE(sat)) | ~2,1 В (при 75 А) |
| Время включения (ton) | ≤ 150 нс |
| Время выключения (toff) | ≤ 500 нс |
| Максимальная температура перехода (Tj) | 150°C |
| Тепловое сопротивление (Rth(j-c)) | ≤ 0,25 °C/Вт |
| Тип корпуса | TO-247 или аналогичный |
| Вес | ~50 г |
Парт-номера и совместимые модели
Аналоги и замены:
- CM75TU-12H (оригинал, Powerex / Mitsubishi)
- CM75DY-12H (аналог с похожими характеристиками)
- FGA75N12 (Fairchild)
- IXGH75N120 (IXYS)
- IRG4PH50UD (International Rectifier)
Совместимые модули в схемах:
- CM100TU-12H (100 А, 1200 В) – для более мощных систем
- CM50TU-12H (50 А, 1200 В) – для менее нагруженных схем
- SKM75GB12T4 (Semikron)
- FF75R12RT4 (Infineon)
Примечание по замене
При выборе аналога важно учитывать:
- Напряжение и токовые характеристики
- Скорость переключения
- Разводку выводов (pinout)
- Тепловые параметры
Для точной замены рекомендуется сверяться с даташитами производителей.
Если требуется более детальная информация по конкретному применению, уточните условия эксплуатации.