IGBT CPV363M4K

тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT CPV363M4K
Описание IGBT CPV363M4K
IGBT CPV363M4K – это высоковольтный транзистор с изолированным затвором (IGBT), разработанный для мощных импульсных преобразователей, инверторов и импульсных источников питания. Модуль отличается высокой эффективностью, низкими потерями при переключении и высокой устойчивостью к перегрузкам.
Основные области применения:
- Промышленные инверторы
- Системы управления электродвигателями
- Сварочное оборудование
- Источники бесперебойного питания (ИБП)
- Солнечные инверторы
Технические характеристики
| Параметр | Значение |
|----------------------------|---------------------------------------|
| Тип устройства | IGBT + диод (NPT-технология) |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 600 В |
| Ток коллектора (IC) | 360 А (при 25°C) |
| Ток коллектора импульсный (ICM) | 720 А |
| Рассеиваемая мощность (Ptot) | 1200 Вт |
| Напряжение затвор-эмиттер (VGE) | ±20 В |
| Падение напряжения в открытом состоянии (VCE(sat)) | 1.85 В (при IC = 360 А) |
| Время включения (ton) | 55 нс |
| Время выключения (toff) | 320 нс |
| Температура перехода (Tj) | -40°C до +175°C |
| Корпус | TO-247 (3-выводной) |
Парт-номера и совместимые модели
Аналоги и замены:
- Infineon: IKW75N60T
- Fuji Electric: 2MBI300VN-060
- Mitsubishi: CM600DU-24NFH
- ON Semiconductor: NGGB75N60T2G
- STMicroelectronics: STGW75HF60WD
Совместимые модели в других линейках:
- CPV364M4K (аналог с улучшенными характеристиками)
- CPV365M4K (аналог с повышенной мощностью)
Примечания
- Для корректной работы необходимо использовать драйвер IGBT с достаточным током затвора.
- Рекомендуется использовать радиатор с тепловым сопротивлением ≤ 0.25°C/Вт.
- Перед заменой проверяйте распиновку и характеристики, так как у разных производителей могут быть отличия.
Если вам нужны спецификации для конкретного применения, уточните условия эксплуатации (частота переключений, охлаждение, нагрузка).