IGBT dd130f120

Описание IGBT модуля DD130F120

DD130F120 – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor), предназначенный для высоковольтных и сильноточных применений в силовой электронике. Модуль обладает низкими коммутационными потерями и высокой надежностью, что делает его пригодным для использования в инверторах, преобразователях частоты, сварочном оборудовании, электроприводах и промышленных системах управления.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение | |-------------------------|-------------| | Тип модуля | IGBT с диодом (Half-Bridge или иная конфигурация) | | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Номинальный ток (I_C при 25°C) | 130 А | | Импульсный ток (I_CM) | 260 А | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 1.8–2.5 В (тип.) | | Время включения (t_on) | ~50 нс | | Время выключения (t_off) | ~150 нс | | Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | ~0.15 °C/Вт | | Корпус | Стандартный изолированный (например, TO-247, модульный вариант) | | Диапазон рабочих температур | -40°C до +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

Модуль DD130F120 может иметь аналоги у разных производителей. Возможные совместимые модели и парт-номера:

• Infineon: IKW30N120H3, IKW40N120H3 (аналоги по параметрам)
• Fuji Electric: 2MBI200U4A-120 (близкий по характеристикам)
• Mitsubishi: CM300DY-24A (другой формат, но схожие параметры)
• SEMIKRON: SKM200GB12T4 (альтернативный вариант)

Применение

• Преобразователи частоты
• Инверторы для электродвигателей
• Сварочные аппараты
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Промышленные системы управления

Если вам нужны точные аналоги, уточните производителя и конфигурацию модуля (например, Half-Bridge, Six-Pack и т. д.).