IGBT DD175N34K

Описание IGBT транзистора DD175N34K

DD175N34K — это мощный IGBT-транзистор (биполярный транзистор с изолированным затвором), предназначенный для высоковольтных и сильноточных применений. Модуль обладает низкими потерями проводимости и переключения, что делает его подходящим для инверторов, частотных преобразователей, сварочного оборудования и промышленных систем управления.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |-------------------------|-----------------------------| | Тип транзистора | NPT IGBT (Non-Punch Through) | | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 3400 В | | Ток коллектора (I_C) | 175 А (при 25°C) | | Ток коллектора (I_C) | 350 А (импульсный) | | Мощность рассеивания (P_tot) | до 1100 Вт (с теплоотводом) | | Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В | | Сопротивление канала (R_DS(on)) | ~15 мОм | | Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C | | Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | ~0.08 °C/Вт | | Корпус | TO-264 (или аналогичный модульный) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• Infineon: FF175R34KT3
• Fuji Electric: 2MBI200U4A-170
• Mitsubishi: CM175DY-34S
• Semikron: SKM175GB34D
• Powerex (IXYS): CM175HB-34H

Похожие модели с другими параметрами:

• DD150N34K (150A, 3400V)
• DD200N34K (200A, 3400V)

Применение

• Силовые инверторы и преобразователи
• Сварочные аппараты
• Промышленные приводы
• Управление электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)

Примечание

Рекомендуется проверять datasheet конкретного производителя перед заменой, так как параметры могут незначительно отличаться в зависимости от производителя.

Если вам нужна более точная информация, укажите производителя (Infineon, Fuji, Mitsubishi и т. д.), и я уточню данные.