IGBT DDB6U104N16RR

Описание IGBT модуля DDB6U104N16RR

DDB6U104N16RR – это IGBT-модуль с обратным диодом, разработанный для мощных силовых преобразований в промышленных и энергетических приложениях. Модуль имеет низкие потери проводимости и переключения, высокую надежность и эффективное тепловое управление.

Основные характеристики:

• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1600 В
• Ток коллектора (I_C при 25°C): 104 А
• Ток коллектора (I_C при 100°C): 63 А
• Импульсный ток (I_CM): 208 А
• Мощность рассеивания (P_tot): 600 Вт
• Напряжение насыщения (V_CE(sat)): 2,1 В (тип.)
• Время включения (t_on): 45 нс
• Время выключения (t_off): 220 нс
• Тепловое сопротивление (R_th(j-c)): 0,21 °C/Вт
• Корпус: модуль с изолированным основанием (например, EconoDUAL™ или аналогичный)

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• Infineon: FZ1600R16HP4, FF1400R16IP4
• Mitsubishi: CM1400DY-34S
• SEMIKRON: SKM400GB176D
• Fuji Electric: 2MBI200XBE120-50

Совместимые модели в зависимости от применения:

• DDB6U104N16 (возможны вариации суффиксов)
• DDB6U100N16 (аналог с близкими параметрами)
• DDB6U120N16 (с повышенным током)

Применение:

• Промышленные приводы
• Инверторы для возобновляемой энергии
• Сварочное оборудование
• Тяговые преобразователи

Если требуется точная замена, рекомендуется проверить спецификации производителя (Infineon, Mitsubishi и др.), так как параметры могут незначительно отличаться.