IGBT DF30AA120

Описание IGBT модуля DF30AA120

DF30AA120 – это IGBT-модуль (биполярный транзистор с изолированным затвором), предназначенный для высоковольтных и сильноточных применений. Используется в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании, промышленных приводах и системах управления электродвигателями.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип модуля | IGBT + диод (полумост или другой вариант в зависимости от конфигурации) |
| Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Номинальный ток (I_C) | 30 А (при 25°C) |
| Импульсный ток (I_CM) | 60 А |
| Мощность рассеивания (P_tot) | ~200–300 Вт (зависит от условий охлаждения) |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | ~1,8–2,5 В (при номинальном токе) |
| Время включения (t_on) | ~50–100 нс |
| Время выключения (t_off) | ~200–400 нс |
| Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C |
| Корпус | Стандартный изолированный (например, TO-247, в зависимости от производителя) |
| Встроенный диод | Быстрый восстановительный (FRD) |

Парт-номера и совместимые модели

В зависимости от производителя (Infineon, Mitsubishi, Fuji, SEMIKRON и др.), модуль DF30AA120 может иметь аналоги или замены:

Прямые аналоги (возможные парт-номера):

• Infineon: IKQ30N120CT2, IKW30N120T2
• Mitsubishi: CM30DY-12H
• Fuji Electric: 2MBI30L-120
• SEMIKRON: SKM30GB12T4

Совместимые модели (схожие параметры):

• IRG4PH40UD (International Rectifier, 1200V, 40A)
• HGTG30N120BND (Fairchild/Renesas, 1200V, 30A)
• STGW30NC120HD (STMicroelectronics, 1200V, 30A)

Примечание

Указанные аналоги могут отличаться по корпусу, тепловым характеристикам или наличию встроенного диода. Перед заменой рекомендуется сверять datasheet и конфигурацию выводов.

Если вам нужна точная замена, уточните производителя оригинального модуля.