IGBT DH2F100N6S

Описание IGBT DH2F100N6S

IGBT DH2F100N6S – это мощный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для высоковольтных и высокочастотных коммутационных приложений. Используется в инверторах, импульсных источниках питания, системах управления электродвигателями и других силовых электронных устройствах.

Технические характеристики

• Производитель: Diodes Incorporated (ранее Diodes-Zetex)
• Тип: N-канальный IGBT с защитным диодом (антипараллельный диод)
• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 600 В
• Ток коллектора (I_C): 100 А (при 25°C)
• Ток импульсный (I_CM): 200 А
• Рассеиваемая мощность (P_tot): 330 Вт
• Напряжение насыщения (V_CE(sat)): 1.9 В (при I_C = 100 А)
• Время включения (t_on): 40 нс
• Время выключения (t_off): 170 нс
• Температура перехода (T_j): от -55°C до +150°C
• Корпус: TO-247

Парт-номера (альтернативные обозначения и аналоги)

• DH2F100N6S-Q (версия с улучшенными характеристиками)
• IXGH100N60B3 (аналог от IXYS)
• IRG4PH50UD (аналог от Infineon)
• FGA60N65SMD (аналог от ON Semiconductor)
• STGW60NC60WD (аналог от STMicroelectronics)

Совместимые модели

В зависимости от схемы, могут подойти:

• IXGH100N60B3
• IRG4PH50UD
• FGA60N65SMD
• STGW60NC60WD
• APT100GN60JDQ4 (аналог от Microchip)

При замене следует учитывать:

• Напряжение и токовые характеристики
• Временные параметры переключения
• Наличие встроенного диода

Если требуется точная замена, рекомендуется сверяться с даташитами или консультироваться с производителем.