IGBT DH2F150N4S

Описание IGBT модуля DH2F150N4S

IGBT модуль DH2F150N4S – это высоковольтный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для мощных инверторных и импульсных схем. Модуль обладает высокой эффективностью, низкими потерями при переключении и высокой перегрузочной способностью. Подходит для применения в промышленных преобразователях частоты, сварочных аппаратах, системах управления электродвигателями и других силовых электронных устройствах.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------------------------|----------------------------------| | Тип модуля | IGBT с диодом обратного хода (Half-Bridge или другой конфигурации) | | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 400 В | | Номинальный ток (I_C) | 150 А (при 25°C) | | Импульсный ток (I_CM) | до 300 А | | Рассеиваемая мощность (P_tot) | до 300 Вт (зависит от охлаждения) | | Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)) | ~1.8 В (типовое) | | Время включения (t_on) | ~35 нс | | Время выключения (t_off) | ~150 нс | | Температура перехода (T_j) | -40°C … +150°C | | Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | ~0.15 °C/Вт | | Корпус | Изолированный (обычно TO-247 или аналогичный) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• Infineon: FF150R04S
• Fuji Electric: 2MBI150N4S
• Mitsubishi: CM150DY-4S
• SEMIKRON: SKM150GB04S

Совместимые модели (по характеристикам):

• IXYS: IXGH150N4S
• STMicroelectronics: STGW150NC4S
• Toshiba: MG150Q4S

Применение

• Преобразователи частоты
• Сварочные инверторы
• Управление электродвигателями
• ИБП и солнечные инверторы
• Промышленные источники питания

Модуль DH2F150N4S обеспечивает надежность и высокую производительность в тяжелых условиях эксплуатации. Для точного подбора аналога рекомендуется сверять datasheet производителя.

Если вам нужны уточненные параметры или дополнительные аналоги, укажите конкретное применение.