IGBT DH2F200N4S

IGBT DH2F200N4S - Описание и технические характеристики

Описание:

IGBT DH2F200N4S – это высоковольтный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), разработанный для мощных импульсных преобразователей, инверторов, сварочного оборудования и промышленных приводов. Модуль обеспечивает высокую эффективность, низкие коммутационные потери и надежность в тяжелых условиях эксплуатации.

Основные технические характеристики:

| Параметр | Значение | |----------------------------|----------------------------------| | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 400 В | | Коллекторный ток (I_C) | 200 А (при 25°C) | | Коллекторный ток (I_C) | 100 А (при 100°C) | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | ≤ 1,8 В (при I_C = 200 А) | | Максимальная рассеиваемая мощность (P_tot) | 600 Вт (с теплоотводом) | | Корпус | TO-264 (изолированный) | | Диапазон рабочих температур | -40°C … +150°C | | Встроенный диод | Нет (только транзистор) | | Тип затвора | N-канальный (требует +15 В для включения) |

Парт-номера и совместимые модели:

В зависимости от производителя, аналогами и заменяемыми моделями могут быть:

• Infineon: IKW40N120T2, IKW75N60T
• Fuji Electric: 2MBI200U4A-060
• Mitsubishi: CM200DY-24NF
• STMicroelectronics: STGW40H60DLFB
• ON Semiconductor: FGH40N60SMD

Перед заменой рекомендуется проверять распиновку и параметры, так как характеристики могут незначительно отличаться.

Применение:

• Промышленные частотные преобразователи
• Сварочные инверторы
• Системы управления электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Солнечные инверторы

Если требуется точный аналог, лучше уточнять datasheet оригинального производителя.