IGBT DI200Z100E

IGBT DI200Z100E: Описание и технические характеристики

Описание

IGBT DI200Z100E — это мощный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для применения в высоковольтных и сильноточных электронных устройствах. Модуль обладает высокой эффективностью, низкими потерями при переключении и отличной термостойкостью. Используется в:

• Промышленных преобразователях частоты
• Системах управления электродвигателями
• Инверторах и источниках бесперебойного питания (ИБП)
• Сварочном оборудовании
• Установках возобновляемой энергетики

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение |
|-------------------------------|----------------|
| Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1000 В |
| Номинальный ток коллектора (I_C) | 200 А |
| Импульсный ток коллектора (I_CM) | 400 А |
| Мощность рассеивания (P_tot) | 800 Вт |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2.5 В (при 200 А) |
| Время включения (t_on) | 80 нс |
| Время выключения (t_off) | 200 нс |
| Температура перехода (T_j) | -40°C ... +150°C |
| Корпус | модуль (Isolated) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от других производителей:

• Infineon: FF200R12KT4, FF200R12KE3
• Mitsubishi: CM200DY-12NF
• Fuji Electric: 2MBI200N-100
• Semikron: SKM200GB12T4

Замены и альтернативы:

• DI200Z120E (1200 В версия)
• DI300Z100E (300 А версия)
• DI200Z100 (неизолированный вариант)

Данный модуль может быть заменен на аналоги с близкими параметрами, но перед использованием необходимо проверять разводку контактов и характеристики.

Если у вас есть дополнительные вопросы по применению или аналогам, уточните условия эксплуатации.