IGBT DIP8

IGBT транзистор в корпусе DIP8 – Описание и технические характеристики

Описание

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) в корпусе DIP8 – это компактный силовой транзистор, объединяющий преимущества MOSFET (высокочастотное управление) и биполярного транзистора (низкие потери в открытом состоянии). Применяется в импульсных источниках питания, инверторах, драйверах двигателей и других силовых электронных устройствах.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение | |-------------------------|----------| | Корпус | DIP8 (Dual In-line Package, 8 выводов) | | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600–1200 В | | Ток коллектора (I_C) | 2–10 А (зависит от модели) | | Ток импульсный (I_CM) | до 20 А | | Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В | | Рассеиваемая мощность (P_tot) | 1–2,5 Вт | | Время включения (t_on) | 20–100 нс | | Время выключения (t_off) | 50–200 нс | | Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C |

Популярные парт-номера и аналоги

1. STMicroelectronics
   • STGP10NC60KD (600 В, 10 А)
   • STGP7NC60HD (600 В, 7 А)
2. Infineon
   • IRG4BC20UD (600 В, 9 А)
3. Fairchild (ON Semiconductor)
   • FGA25N120ANTD (1200 В, 25 А) – аналог в другом корпусе, но может использоваться с адаптером
4. Toshiba
   • GT8Q191 (600 В, 8 А)

Совместимые модели

• IRG4BC20U (International Rectifier)
• HGTG20N60A4D (Fairchild)
• FGH40N60SMD (ON Semiconductor) – более мощный аналог

Применение

• Инверторы и драйверы двигателей
• Импульсные блоки питания (SMPS)
• Системы управления мощностью (PWM)

Если вам нужен конкретный IGBT в корпусе DIP8, уточните параметры (напряжение, ток), чтобы подобрать оптимальный вариант.