IGBT DIP-8

Описание IGBT в корпусе DIP-8

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) в корпусе DIP-8 – это компактный силовой транзистор, сочетающий преимущества MOSFET (высокое быстродействие) и биполярного транзистора (низкие потери в открытом состоянии). Используется в импульсных источниках питания, инверторах, драйверах двигателей и других силовых электронных устройствах.

Корпус DIP-8 (Dual In-line Package) обеспечивает удобство монтажа в печатные платы, подходит для ручной и автоматизированной пайки.

Технические характеристики (типовые)

• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 600 В, 1200 В (в зависимости от модели)
• Ток коллектора (I_C): 1–10 А
• Ток импульсный (I_CM): до 20 А (кратковременно)
• Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)): 1,5–2,5 В
• Скорость переключения (t_on/t_off): 50–200 нс
• Напряжение затвор-эмиттер (V_GE): ±20 В (макс.)
• Тепловое сопротивление (R_thJC): 3–5 °C/Вт
• Рабочая температура: -40…+150 °C

Популярные парт-номера (Part Numbers)

1. STMicroelectronics:
   • STGP10NC60KD
   • STGB10NB37LZ
2. Infineon:
   • IGP10N60T
   • IGP15N60T
3. Fairchild/ON Semiconductor:
   • FGP10N60
   • FGA15N120ANTD
4. Toshiba:
   • GT8G101
   • GT8G122

Совместимые модели и аналоги

• IRG4BC20KD (International Rectifier)
• HGTG10N60A4D (Fairchild)
• IXGH10N60B (IXYS)

Применение

• Импульсные блоки питания (SMPS)
• Инверторы и частотные преобразователи
• Управление электродвигателями
• Сварочное оборудование

Если нужны параметры конкретной модели, уточните производителя или требуемые характеристики.