IGBT dp10f1200t101625

Описание IGBT модуля DP10F1200T101625

DP10F1200T101625 – это IGBT-модуль с напряжением 1200 В и током коллектора 10 А, предназначенный для применения в импульсных преобразователях, инверторах и других силовых электронных устройствах. Модуль выполнен в стандартном корпусе, обеспечивающем хороший теплоотвод и удобство монтажа.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Номинальный ток коллектора (I_C) | 10 А |
| Макс. импульсный ток (I_CM) | 20 А |
| Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)) | 1,8 В (тип.) |
| Время включения (t_d(on)) | 30 нс |
| Время выключения (t_d(off)) | 150 нс |
| Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C |
| Корпус | Стандартный модульный (TO-247 или аналогичный) |
| Схема подключения | Одиночный IGBT + диод (Half-Bridge или иная) |

Парт-номера и аналоги

Прямые аналоги:

• Infineon: IKW10N120H3
• STMicroelectronics: STGW10NC120HD
• Fuji Electric: 10MB120A
• Mitsubishi Electric: CM10DY-12H

Совместимые модели (по ключевым параметрам):

• IRG4PC20U (International Rectifier)
• HGTG10N120BN (ON Semiconductor)
• APT10GP120J (Microsemi)

Применение

• Инверторы и частотные преобразователи
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Системы управления электродвигателями
• Импульсные блоки питания (SMPS)

Если у вас есть дополнительные вопросы или нужна помощь с подбором аналогов, уточните условия применения (нагрузка, частота переключений, охлаждение).