IGBT DP25F1200T101666

Описание IGBT модуля DP25F1200T101666

IGBT модуль DP25F1200T101666 – это высоковольтный силовой транзистор с изолированным затвором, предназначенный для применения в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании и других мощных электронных системах. Модуль обеспечивает высокую эффективность коммутации, низкие потери и хорошую тепловую стабильность.

Ключевые особенности:

• Высокое напряжение коллектор-эмиттер (V_CES = 1200 В)
• Большой ток коллектора (I_C = 25 А)
• Низкое падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat))
• Встроенный антипараллельный диод
• Изолированный корпус для удобного монтажа на радиатор

Технические характеристики:

| Параметр | Значение |
|----------------------------|------------------------------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Ток коллектора (I_C) | 25 А |
| Ток импульсный (I_CM) | 50 А |
| Падение напряжения V_CE(sat) | ~1,8 В (при 25 А) |
| Время включения (t_on) | ~50 нс |
| Время выключения (t_off) | ~200 нс |
| Мощность рассеивания (P_tot) | ~150 Вт |
| Температура эксплуатации | -40°C … +150°C |
| Корпус | Изолированный (например, TO-247 или аналогичный) |

Парт-номер и совместимые модели:

Альтернативные парт-номера и аналоги:

• Infineon: IKW25N120T2, IKW30N120T2
• Fuji Electric: 2MBI25U-120
• Mitsubishi: CM25DY-12S
• STMicroelectronics: STGW25H120DF2
• SEMIKRON: SKM25GB12T4

Совместимые модели (по характеристикам):

• IXYS: IXGH25N120B3
• ON Semiconductor: NGTB25N120LWG
• Toshiba: MG25Q6ES40

Применение:

• Преобразователи частоты
• Сварочные инверторы
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Электроприводы

Если требуется точная замена, рекомендуется проверять даташиты и консультироваться с производителем, так как параметры могут отличаться.