IGBT DP25F1200T101666

IGBT DP25F1200T101666
Артикул: 297807

IGBT DP25F1200T101666 — силовой полупроводниковый компонент для ремонта и обслуживания промышленной электроники. Перед заказом сверьте обозначение DP25F1200T101666, корпус, распиновку и электрические параметры с оригинальной деталью.

Требуется установка или ремонт?

сервисный центр Kypidetali!

тел. +7(499)347-04-82

Описание IGBT DP25F1200T101666

Описание IGBT модуля DP25F1200T101666

IGBT модуль DP25F1200T101666 – это высоковольтный силовой транзистор с изолированным затвором, предназначенный для применения в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании и других мощных электронных системах. Модуль обеспечивает высокую эффективность коммутации, низкие потери и хорошую тепловую стабильность.

Ключевые особенности:

  • Высокое напряжение коллектор-эмиттер (VCES = 1200 В)
  • Большой ток коллектора (IC = 25 А)
  • Низкое падение напряжения в открытом состоянии (VCE(sat))
  • Встроенный антипараллельный диод
  • Изолированный корпус для удобного монтажа на радиатор

Технические характеристики:

| Параметр | Значение |
|----------------------------|------------------------------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 1200 В |
| Ток коллектора (IC) | 25 А |
| Ток импульсный (ICM) | 50 А |
| Падение напряжения VCE(sat) | ~1,8 В (при 25 А) |
| Время включения (ton) | ~50 нс |
| Время выключения (toff) | ~200 нс |
| Мощность рассеивания (Ptot) | ~150 Вт |
| Температура эксплуатации | -40°C … +150°C |
| Корпус | Изолированный (например, TO-247 или аналогичный) |


Парт-номер и совместимые модели:

Альтернативные парт-номера и аналоги:

  • Infineon: IKW25N120T2, IKW30N120T2
  • Fuji Electric: 2MBI25U-120
  • Mitsubishi: CM25DY-12S
  • STMicroelectronics: STGW25H120DF2
  • SEMIKRON: SKM25GB12T4

Совместимые модели (по характеристикам):

  • IXYS: IXGH25N120B3
  • ON Semiconductor: NGTB25N120LWG
  • Toshiba: MG25Q6ES40

Применение:

  • Преобразователи частоты
  • Сварочные инверторы
  • Источники бесперебойного питания (ИБП)
  • Электроприводы

Если требуется точная замена, рекомендуется проверять даташиты и консультироваться с производителем, так как параметры могут отличаться.

Дополнительная информация

IGBT DP25F1200T101666 предназначен для замены и ремонта силовых электронных узлов. Точное обозначение компонента — DP25F1200T101666. Для правильного подбора необходимо сверить полную маркировку, тип корпуса, схему выводов, допустимые ток и напряжение, а также параметры управления с документацией оборудования и оригинальным компонентом. При сомнениях отправьте специалисту магазина фото маркировки и платы.

#IGBT #IGBTМодуль #DP25F1200T101666 #СиловаяЭлектроника #Полупроводники #ЭлектронныеКомпоненты #РемонтЭлектроники #ПромышленнаяЭлектроника #Комплектующие #ПодборКомпонентов

Товары из этой же категории