IGBT DT142N12

Описание IGBT DT142N12

DT142N12 – это мощный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для высоковольтных и высокотоковых применений. Он используется в инверторах, сварочных аппаратах, промышленных приводах, системах управления электродвигателями и других силовых электронных устройствах.

Ключевые особенности:

• Высокая эффективность и низкие потери проводимости.
• Быстрое переключение, устойчивость к перегрузкам.
• Встроенный диод для защиты от обратных токов.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|------------------------|----------|
| Коллектор-эмиттер напряжение (V_CES) | 1200 В |
| Коллекторный ток (I_C) | 142 А |
| Ток импульсный (I_CM) | до 280 А |
| Мощность рассеивания (P_D) | 600 Вт |
| Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В |
| Падение напряжения (V_CE(sat)) | 2.5 В (при 75 А) |
| Время включения (t_on) | 45 нс |
| Время выключения (t_off) | 200 нс |
| Корпус | TO-247, изолированный |

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги:

• Infineon: IKW75N120T2
• Fuji Electric: 2MBI200U2A-120
• Mitsubishi Electric: CM600DU-12NFH
• Semikron: SKM200GB12T4

Частично совместимые модели (с проверкой схемы):

• IXYS: IXGH75N120
• STMicroelectronics: STGW75HF120W
• Toshiba: GT75Q321

Применение

• Силовые инверторы
• Сварочные аппараты
• Частотные преобразователи
• Управление электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)

Если вам нужна более точная информация по замене, уточните схему и условия эксплуатации.