IGBT DT142N12

IGBT DT142N12
Артикул: 297808

Требуется установка или ремонт?

сервисный центр Kypidetali!

тел. +7(499)347-04-82

Описание IGBT DT142N12

Описание IGBT DT142N12

DT142N12 – это мощный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для высоковольтных и высокотоковых применений. Он используется в инверторах, сварочных аппаратах, промышленных приводах, системах управления электродвигателями и других силовых электронных устройствах.

Ключевые особенности:

  • Высокая эффективность и низкие потери проводимости.
  • Быстрое переключение, устойчивость к перегрузкам.
  • Встроенный диод для защиты от обратных токов.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|------------------------|----------|
| Коллектор-эмиттер напряжение (VCES) | 1200 В |
| Коллекторный ток (IC) | 142 А |
| Ток импульсный (ICM) | до 280 А |
| Мощность рассеивания (PD) | 600 Вт |
| Напряжение затвор-эмиттер (VGE) | ±20 В |
| Падение напряжения (VCE(sat)) | 2.5 В (при 75 А) |
| Время включения (ton) | 45 нс |
| Время выключения (toff) | 200 нс |
| Корпус | TO-247, изолированный |


Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги:

  • Infineon: IKW75N120T2
  • Fuji Electric: 2MBI200U2A-120
  • Mitsubishi Electric: CM600DU-12NFH
  • Semikron: SKM200GB12T4

Частично совместимые модели (с проверкой схемы):

  • IXYS: IXGH75N120
  • STMicroelectronics: STGW75HF120W
  • Toshiba: GT75Q321

Применение

  • Силовые инверторы
  • Сварочные аппараты
  • Частотные преобразователи
  • Управление электродвигателями
  • Источники бесперебойного питания (ИБП)

Если вам нужна более точная информация по замене, уточните схему и условия эксплуатации.

Товары из этой же категории