IGBT DT142N12

тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT DT142N12
Описание IGBT DT142N12
DT142N12 – это мощный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для высоковольтных и высокотоковых применений. Он используется в инверторах, сварочных аппаратах, промышленных приводах, системах управления электродвигателями и других силовых электронных устройствах.
Ключевые особенности:
- Высокая эффективность и низкие потери проводимости.
- Быстрое переключение, устойчивость к перегрузкам.
- Встроенный диод для защиты от обратных токов.
Технические характеристики
| Параметр | Значение |
|------------------------|----------|
| Коллектор-эмиттер напряжение (VCES) | 1200 В |
| Коллекторный ток (IC) | 142 А |
| Ток импульсный (ICM) | до 280 А |
| Мощность рассеивания (PD) | 600 Вт |
| Напряжение затвор-эмиттер (VGE) | ±20 В |
| Падение напряжения (VCE(sat)) | 2.5 В (при 75 А) |
| Время включения (ton) | 45 нс |
| Время выключения (toff) | 200 нс |
| Корпус | TO-247, изолированный |
Парт-номера и совместимые модели
Прямые аналоги:
- Infineon: IKW75N120T2
- Fuji Electric: 2MBI200U2A-120
- Mitsubishi Electric: CM600DU-12NFH
- Semikron: SKM200GB12T4
Частично совместимые модели (с проверкой схемы):
- IXYS: IXGH75N120
- STMicroelectronics: STGW75HF120W
- Toshiba: GT75Q321
Применение
- Силовые инверторы
- Сварочные аппараты
- Частотные преобразователи
- Управление электродвигателями
- Источники бесперебойного питания (ИБП)
Если вам нужна более точная информация по замене, уточните схему и условия эксплуатации.