IGBT ETN81055

Описание IGBT ETN81055

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) ETN81055 – это мощный полупроводниковый прибор, предназначенный для коммутации высоких токов и напряжений в силовой электронике. Применяется в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании, системах управления электродвигателями и других промышленных устройствах.

Ключевые особенности:

• Высокая эффективность и низкие потери при переключении.
• Встроенный обратный диод (антипараллельный диод) для защиты от обратных напряжений.
• Надежная изоляция корпуса для монтажа на радиатор.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|--------------------------|----------|
| Тип | IGBT с диодом |
| Макс. напряжение (V_CES) | 600 В |
| Макс. ток коллектора (I_C) | 80 А |
| Ток импульсный (I_CM) | 160 А |
| Падение напряжения (V_CE(sat)) | 1,8 В (при 40 А) |
| Время включения (t_on) | 35 нс |
| Время выключения (t_off) | 110 нс |
| Корпус | TO-247 (или аналогичный) |
| Рабочая температура | -40°C … +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• IRG4PF50WD (International Rectifier)
• FGA60N65SMD (Fairchild/ON Semiconductor)
• HGTG20N60A4D (Renesas)
• STGW40H65DFB (STMicroelectronics)

Совместимые модели в схемах:

• Подходит для замены в инверторах и драйверах, где используются IGBT на 600 В / 80 А.
• Часто применяется в ремонте сварочных аппаратов (например, Ресанта, Fubag, BlueWeld).
• Совместим с драйверами типа IR2110, HCPL-3120.

Примечание

Перед заменой проверяйте распиновку и характеристики в datasheet, так как у аналогов могут быть отличия в параметрах. Для точного подбора рекомендуется использовать оригинальные аналоги или проверенные замены.

Если нужен datasheet, уточните производителя (Infineon, Mitsubishi и др.), так как маркировка ETN81055 может быть внутренней у некоторых брендов.