IGBT evg31-050

Описание IGBT EVG31-050

EVG31-050 – это высоковольтный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для применения в силовой электронике, импульсных источниках питания, инверторах и системах управления электродвигателями. Модуль обладает высокой эффективностью, низкими потерями при переключении и хорошей тепловой стабильностью.

Технические характеристики

Основные параметры:

• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 500 В
• Ток коллектора (I_C): до 31 А (при 25°C)
• Ток коллектора импульсный (I_CM): до 62 А
• Мощность рассеивания (P_tot): 150 Вт (с теплоотводом)
• Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)): 1,8 В (при I_C = 31 А)
• Время включения (t_d(on)): 35 нс
• Время выключения (t_d(off)): 180 нс
• Температура перехода (T_j): от -40°C до +150°C
• Тип корпуса: TO-247 (или аналогичный)

Парт-номера и аналоги

Оригинальные и альтернативные модели:

• Fuji Electric: 2MBI50U-050
• Infineon: IKW50N60T
• Mitsubishi: CM50DY-12H
• Toshiba: MG50Q1BS1
• STMicroelectronics: STGW50HF60W

Совместимые модели:

• IRG4PH50UD (International Rectifier)
• HGTG31N60A4D (Fairchild/ON Semiconductor)
• IXGH50N60B3 (IXYS)
• APT50GR60J (Microchip)

Область применения

• Преобразователи частоты
• Инверторы для сварочных аппаратов
• Управление электродвигателями
• Импульсные блоки питания
• Солнечные инверторы

Если требуется точная замена, рекомендуется проверять даташиты на соответствие параметров, особенно по напряжению, току и корпусу.

Нужна дополнительная информация? Готов помочь!